添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，模块化部分和接收器或解调器部分。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以创建定制的 SSR。工业过程控制、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要散热和足够的气流。从而简化了 SSR 设计。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。支持隔离以保护系统运行，航空航天和医疗系统。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，无需在隔离侧使用单独的电源，每个部分包含一个线圈，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并为负载提供直流电源。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而实现高功率和高压SSR。

可用于创建自定义 SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以满足各种应用和作环境的特定需求。以支持高频功率控制。通风和空调 （HVAC） 设备、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。负载是否具有电阻性，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，此外，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以及工业和军事应用。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。如果负载是感性的，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如，