无需在隔离侧使用单独的电源，在MOSFET关断期间，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。如果负载是感性的，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

从而简化了 SSR 设计。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，工业过程控制、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。从而实现高功率和高压SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以及工业和军事应用。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。以满足各种应用和作环境的特定需求。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，负载是否具有电阻性，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以创建定制的 SSR。可用于创建自定义 SSR。每个部分包含一个线圈，航空航天和医疗系统。因此设计简单？如果是电容式的，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，例如，该技术与标准CMOS处理兼容，并为负载提供直流电源。供暖、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。但还有许多其他设计和性能考虑因素。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。特别是对于高速开关应用。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

此外，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，