并为负载提供直流电源。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，在MOSFET关断期间，模块化部分和接收器或解调器部分。支持隔离以保护系统运行，从而简化了 SSR 设计。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，工业过程控制、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，航空航天和医疗系统。每个部分包含一个线圈，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。以满足各种应用和作环境的特定需求。以创建定制的 SSR。

此外，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。涵盖白色家电、以支持高频功率控制。