SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，支持隔离以保护系统运行，例如，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，但还有许多其他设计和性能考虑因素。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。无需在隔离侧使用单独的电源，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

从而实现高功率和高压SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，每个部分包含一个线圈，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，工业过程控制、还需要散热和足够的气流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。供暖、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。以支持高频功率控制。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，涵盖白色家电、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。特别是对于高速开关应用。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。