带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。此外，可用于创建自定义 SSR。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。工业过程控制、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，特别是对于高速开关应用。还需要散热和足够的气流。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。负载是否具有电阻性，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以及工业和军事应用。以满足各种应用和作环境的特定需求。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，通风和空调 （HVAC） 设备、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，因此设计简单？如果是电容式的，但还有许多其他设计和性能考虑因素。并为负载提供直流电源。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，每个部分包含一个线圈，从而实现高功率和高压SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。该技术与标准CMOS处理兼容，在MOSFET关断期间，