还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。该技术与标准CMOS处理兼容，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，以创建定制的 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。以满足各种应用和作环境的特定需求。每个部分包含一个线圈，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，供暖、可用于创建自定义 SSR。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，在MOSFET关断期间，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。还需要散热和足够的气流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以及工业和军事应用。支持隔离以保护系统运行，但还有许多其他设计和性能考虑因素。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。