工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，模块化部分和接收器或解调器部分。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，供暖、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。每个部分包含一个线圈，从而简化了 SSR 设计。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

并为负载提供直流电源。以创建定制的 SSR。从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，涵盖白色家电、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，