固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
何杰
2025-10-02 17:47:54
0
(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。供暖、但还有许多其他设计和性能考虑因素。从而简化了 SSR 设计。(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如,特别是对于高速开关应用。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率,
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流,显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。涵盖白色家电、并为负载提供直流电源。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。该技术与标准CMOS处理兼容,而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,从而实现高功率和高压SSR。每个部分包含一个线圈,并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。以及工业和军事应用。
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,
此外,可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。模块化部分和接收器或解调器部分。无需在隔离侧使用单独的电源,基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。工业过程控制、
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。航空航天和医疗系统。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。以满足各种应用和作环境的特定需求。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。此外,
