（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。该技术与标准CMOS处理兼容，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。特别是对于高速开关应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以支持高频功率控制。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，工业过程控制、供暖、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以创建定制的 SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。从而实现高功率和高压SSR。在MOSFET关断期间，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。