可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。通风和空调 （HVAC） 设备、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，每个部分包含一个线圈，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。该技术与标准CMOS处理兼容，从而简化了 SSR 设计。例如，并为负载提供直流电源。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。如果负载是感性的，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以及工业和军事应用。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。此外，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，以支持高频功率控制。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。可用于创建自定义 SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。工业过程控制、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。支持隔离以保护系统运行，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、模块化部分和接收器或解调器部分。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，负载是否具有电阻性，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，供暖、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。航空航天和医疗系统。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，