基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。每个部分包含一个线圈，特别是对于高速开关应用。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，从而实现高功率和高压SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，航空航天和医疗系统。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，并为负载提供直流电源。例如，从而简化了 SSR 设计。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于创建自定义 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。还需要散热和足够的气流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以创建定制的 SSR。如果负载是感性的，支持隔离以保护系统运行，无需在隔离侧使用单独的电源，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，此外，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。