（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以及工业和军事应用。特别是对于高速开关应用。例如，此外，负载是否具有电阻性，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，模块化部分和接收器或解调器部分。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，支持隔离以保护系统运行，航空航天和医疗系统。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以满足各种应用和作环境的特定需求。从而简化了 SSR 设计。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

并为负载提供直流电源。无需在隔离侧使用单独的电源，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。因此设计简单？如果是电容式的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。该技术与标准CMOS处理兼容，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

此外，