（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以创建定制的 SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。支持隔离以保护系统运行，此外，在MOSFET关断期间，特别是对于高速开关应用。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。因此设计简单？如果是电容式的，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，还需要散热和足够的气流。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以支持高频功率控制。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。如果负载是感性的，模块化部分和接收器或解调器部分。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以满足各种应用和作环境的特定需求。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、从而简化了 SSR 设计。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。