带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。从而简化了 SSR 设计。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，负载是否具有电阻性，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以支持高频功率控制。还需要散热和足够的气流。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。无需在隔离侧使用单独的电源，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

以及工业和军事应用。以创建定制的 SSR。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。