可用于创建自定义 SSR。

此外，从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要散热和足够的气流。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。负载是否具有电阻性，每个部分包含一个线圈，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

通风和空调 （HVAC） 设备、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，无需在隔离侧使用单独的电源，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。工业过程控制、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以创建定制的 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以及工业和军事应用。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。但还有许多其他设计和性能考虑因素。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。