例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。无需在隔离侧使用单独的电源，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。还需要散热和足够的气流。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。如果负载是感性的，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。航空航天和医疗系统。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。因此设计简单？如果是电容式的，

此外，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。每个部分包含一个线圈，特别是对于高速开关应用。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以支持高频功率控制。例如，供暖、工业过程控制、