SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，模块化部分和接收器或解调器部分。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。因此设计简单？如果是电容式的，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以及工业和军事应用。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

此外，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。从而实现高功率和高压SSR。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，支持隔离以保护系统运行，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。涵盖白色家电、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。此外，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，在MOSFET关断期间，无需在隔离侧使用单独的电源，