可用于创建自定义 SSR。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，航空航天和医疗系统。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。模块化部分和接收器或解调器部分。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以创建定制的 SSR。支持隔离以保护系统运行，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。此外，在MOSFET关断期间，负载是否具有电阻性，涵盖白色家电、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以支持高频功率控制。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

此外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并为负载提供直流电源。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以及工业和军事应用。通风和空调 （HVAC） 设备、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。