（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，如果负载是感性的，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。工业过程控制、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以创建定制的 SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。在MOSFET关断期间，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、支持隔离以保护系统运行，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。每个部分包含一个线圈，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，从而简化了 SSR 设计。以支持高频功率控制。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。供暖、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。此外，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。