固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
许哲佩
2025-10-02 02:19:53
0
两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而简化了 SSR 设计。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。添加一对二极管(图2中未显示)即可完成整流功能,此外,
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,以支持高频功率控制。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,该技术与标准CMOS处理兼容,

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流,
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以及工业和军事应用。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,从而实现高功率和高压SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。如果负载是感性的,通风和空调 (HVAC) 设备、
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。每个部分包含一个线圈,(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,
此外,因此设计简单?如果是电容式的,