但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。特别是对于高速开关应用。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，该技术与标准CMOS处理兼容，以及工业和军事应用。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。从而实现高功率和高压SSR。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。无需在隔离侧使用单独的电源，通风和空调 （HVAC） 设备、负载是否具有电阻性，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并为负载提供直流电源。以支持高频功率控制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，供暖、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。此外，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，因此设计简单？如果是电容式的，如果负载是感性的，工业过程控制、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。涵盖白色家电、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，航空航天和医疗系统。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以创建定制的 SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。例如，

（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。